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1947年,点接触型锗晶体管的诞生,在电子器件的发展翻开了新的一页。但是,这种点接触型晶体管在构造上存在着接触点不稳定的致命弱点。在点接触型晶体管开发成功的同时,结型晶体管论就已经提出,但是直至人们能够制备超高纯度的单晶以及能够任意控制晶体的导电类型以后,结型晶体管材真正得以出现。
电子元器件在质量方面国际上有欧盟的CE认证,美国的UL认证,德国的VDE和TUV以及中国的CQC认证等国内外认证,来保证元器件的合格。
电容的容量大小表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。
1906年,美国发明家德福雷斯特(De Forest Lee)发明了真空三极管(电子管)。
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