EVG光刻机主要应用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统（MEMS、）硅片凸点、芯片级封装以及化合物半导体等，涵盖了微电子领域微米或亚微米级线条的芯片的光刻应用。
主要特点
1. 化的降低使用者的总体拥有成本； | |||||||
2. 支持背面对准光刻和键合对准工艺 | |||||||
3. 自动的微米计控制曝光间距 | |||||||
4. 自动契型补偿系统 | |||||||
5. 的全局光强均匀度 | |||||||
6. 免维护单独气浮工作台 | |||||||
7. 小化的占地面积 | |||||||
8. Windows图形化用户界面 | |||||||
9. 完善的多用户管理（用户权限、界面语言、菜单和工艺控制） | |||||||
技术参数
衬底/晶片尺寸（mm） | 小片--200mm，150mm*150mm，0.1-10mm 厚度 | |
掩膜板尺寸 | 9&＃39;*9&＃39; | |
物镜间距 | 8-30mm连续可调 | |
对准方式 | 上部对准，CCD | ±0.5um |
上部对准，目镜 | 可选 | |
底部对准 | 可选 | |
透过式红外对准 | 可选 | |
键合对准 | 可选 | |
原位对准校正 | 可选 | |
工作台 | 微米计 | 手动 |
载片台 | 真空吸盘式，标配4寸，可扩至8寸 | |
接触压力 | 5-80N可调 | |
曝光 | 方式 | 接近式，软、硬、真空接触 |
分辨率 | 接触式<0.8um,接近式≥2um | |
波长 | 350-450nm,可选200nm | |
光强均匀性 | ≤2% | |
汞灯 | 350W，500W | |
纳米压印光刻 | 硬压头 | 可选 |
软压头 | 可选 | |
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